2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

  “宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

    以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料所制成的二极管、MOSFET、HEMT等电力电子器件已经逐步商业化，并在耐压、开关性能、温度特性等方面显示出比传统的硅材料器件更为卓越的性能，但在驱动、保护、开关过电压和噪声抑制、封装及可靠性等方面还存在一定的问题，在一定程度上影响了宽禁带半导体器件的迅速推广和应用。这些问题已经成为电力电子技术领域重要的研究热点，学术界和工业界开展了深入的研究和广泛的探索，并取得了大量成果。当前，迫切需要对相关研究问题和成果进行有效的整理，并开展广泛的交流和讨论，使更多的学者和应用工程师了解和掌握宽禁带半导体器件应用的关键技术，并促进其应用问题的解决。

    为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广，本刊拟将《电力电子技术》杂志2017年第09期开辟为“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑，以集中反映这一技术领域的最新科研成果，关键技术发展和创新，新方法、新产品的设计、生产和运行经验，国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。

专题的征文范围包括：
1、宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法。
2、驱动与保护方法及电路设计
3、采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术与方法
4 采用宽禁带半导体构成的变换器的电磁兼容问题的研究
5 宽禁带半导体器件和电路的封装与集成技术
6 宽禁带半导体器件的散热技术与高温应用
7 宽禁带半导体器件的可靠性问题研究

    欲投稿的作者请于2017年6月30日前将论文寄到本刊编辑部邮箱（Email：dldzjstg@163.com），并注明“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于2017年7月30日前通知作者。本刊将请西安交通大学杨旭教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。