2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

    2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

    电力电子器件是电力电子技术的核心，其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换。随着科技的进步，人类的电力使用与电力电子器件的关系越来越密切，对它的开发与使用逐渐成为人类实现“节能减排”目标的重要手段之一。

    电力电子器件的性能优劣将直接影响到电能的利用效率。目前常用的Si基电力电子器件经过几十年的发展已经逐渐接近了材料本身的理论极限。为从根本上解决这一问题，发展有更高的功率密度输出、更高的能量转换效率的宽禁带半导体SiC和GaN器件可以实现系统小型化、轻量化，从而大大降低制作成本，这对全球大力推广节能减排的今天意义十分重大。

    为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广，本刊拟将《电力电子技术》杂志2017年第 8 期辟为“宽禁带半导体电力电子器件”专辑，以期集中反映国内外这一技术领域的相关情况和发展趋势。热切欢迎从事宽禁带半导体电力电子器件研发工作的专家学者和青年科技工作者踊跃投稿。

专题的征文范围包括：
1、Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术。
2、GaN基电力电子器件（二极管，MOSFET等）的关键技术及挑战。
3、SiC基电力电子器件（二极管，MOSFET及IGBT等）的关键技术及挑战。
4、宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用。
5、宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。

    欲投稿的作者请在2017年5月31日前将论文寄到本刊编辑部（E-mail:dldzjstg@163.com），并注明“宽禁带半导体电力电子器件”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于2017年6月30日前通知作者。本刊将请中山大学刘扬教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。