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2020年第10期“宽禁带电力电子器件的应用基础”专辑征文启事

2020-03-23 11:21:09 来源:《电力电子技术》网站 浏览:3043

宽禁带电力电子器件,即以碳化硅、氮化镓为代表的第三代功率半导体器件,具有开关速度快损耗低工作温度高等特点,其性能远超现有的硅电力电子器件,是构建未来绿色能源的重要基石。随着宽禁带电力电子器件技术的不断成熟,其将从新能源汽车、数据中心、轨道交通、智能电网和新一代移动通讯等一些重要领域开始,逐步取代现有的硅电力电子器件,有望大幅提高能源利用效率,带动万亿级的产业规模。

宽禁带电力电子器件的应用对于提高变换器频率、效率、功率密度、工作温度等带来巨大的机遇,但是也存在众多挑战。目前,宽禁带电力电子器件在应用过程中还存在很多科学问题与技术问题,导致器件自身的高频、高效、高温等很多优异特性无法充分的发挥出来,甚至产生严重的电磁噪声和可靠性问题。因此,学者们从宽禁带电力电子器件特性、封装、装备等多个层次解决应用问题,并取得了非常丰硕的成果。

为了更好地推进“宽禁带电力电子器件、封装与应用”相关技术的研究,本刊拟将2020年第10辟为宽禁带电力电子器件的应用基础”专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。

专辑的征文范围包括但不限于以下内容

1)碳化硅、氮化镓电力电子器件特性与建模

2)碳化硅、氮化镓电力电子器件封装

3)驱动、保护与其辅助电路

4)高温、高压绝缘

5)高频、高效宽禁带变换器

6)可靠性评估与寿命预测

7)宽禁带变换器电磁干扰

8)宽禁带电力电子器件与变换器热管理

9)高性能无源元件与磁集成技术

10)碳化硅、氮化镓电力电子器件在交通与电网等中高压场合的应用

11)碳化硅、氮化镓电力电子器件在数据中心、无线充电等中低压场合的应用

欲投稿的作者请2020年7月30日前将论文发送到本刊编辑部邮箱Email:dldzjstg@163.com),并注明“宽禁带电力电子器件的应用基础专辑”字样。所投论文将按本刊常规审稿程序请国内外同行专家评审,评审结果将于2020年830前通知作者。本刊邀请华中科技大学康勇教授西安交通大学王来利教授担任特邀主编,对本领域的研究及专辑的论文进行分析和点评。

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