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宏微“高压大电流 NPT IGBT 和FRED芯片”达到世界先进水平

2012-02-10 15:06:28 来源:《电力电子技术》网站 浏览:2542

    江苏宏微科技有限公司具有自主知识产权的非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT IGBT)芯片系列产品高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品项目20111025日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、国家电力电子产品质量监督检验中心、中科院半导体所、清华大学、浙江大学、电子科技大学、北京工业大学和西安工程大学等部门的专家鉴定;部分重点用户代表也参加了本次鉴定会。与会专家一致认为:“75A-100A/1200V-1700V NPT IGBT芯片达到国际同类产品的先进水平,其中1200V产品的部分主要性能指标超过国际同类产品的先进水平;“2A-200A/200V-1200V超快软恢复外延型二极管芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。产品已经实现规模化生产,市场反映良好,已经批量替代进口产品。

  江苏宏微科技有限公司具有国际先进水平的国产宏微系列高压大电流电力半导体NPT IGBTFRED芯片的研制成功,将我国IGBTFRED的研发和生产水平提高到了一个新的高度,是我国在IGBT FRED芯片产业化方面迈出的重要一步。产品可广泛应用于国防、民用工业,医学、交通及新能源智能电网等领域。大大减少了我国电力电子系统与装置对国外产品的依赖性。减少系统与装置的成本,增加产品在国内外市场的竞争性。有助于电力电子产品这一绿色节能器件在我国不同行业、不同区域的推广应用。有助于推动我国传统产业的更新换代和减少工业污染,提高电能和其它资源的使用效率。 

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