近日，中国南车首家海外功率半导体研发中心在英国林肯郡顺利落成，这是中国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。
以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车车辆（包括高速动车组、大功率机车、城轨车辆）的“中央处理器（CPU）”,它广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、新能源等行业。
基于良好的政策平台、市场前景以及自身雄厚的技术基础和人才实力，南车株洲电力机车研究所有限公司先行一步，由旗下株洲南车时代电气股份有限公司出资，在欧洲发达国家成立功率半导体器件研发中心，集中现有分散于中英两地的研发资源，强强联合，重点突破。
研发中心以中长期项目（二至三年以上的市场项目）为研发重点，研发内容涉及基础研究、工艺改进、产品开发和平台建设，承担新一代IGBT技术开发，新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发工作，其取得的知识产权将由中国南车和丹尼克斯共同拥有。这将大大支撑并引领中国南车大功率半导体器件产业的可持续发展，完善并提升其从核心元器件技术到核心系统技术，再到整车系统集成技术的技术链，为缩短与国际最先进水平的差距，并对今后IGBT芯片技术国产化进行人才储备具有里程碑的意义。
