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英飞凌推出采标准至无铅封装的汽车电源的MOSFET

2011-12-14 08:50:31 来源:《电力电子技术》网站 浏览:2648

    英飞凌宣布推出采用TO无铅封装的汽车电源的MOSFET的系列产品新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET TO - 262以及T2系列产品的量产已准备就绪。

    英飞凌的MOSFET的新系列产品超越了现行欧盟RoHS指令对于含铅焊锡封装的规范,更严格的ELV符合RoHS标准可能将于2014年施行,届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET的,英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。

    英飞凌汽车电子事业处标准电源产品副总裁暨总经理弗兰克Schwertlein且符合RoHS环保之MOSFET,协助客户开发节能的“绿色”产品。“ 

    英飞凌专利的无铅黏晶(芯片粘接) 175μm),为功率半导体提供多项改良:

    环保的技术:不使用线索及其他有毒物质。

    扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程:大幅降低封装的导通电阻值的RDS(on)。

    热阻(RthJC)改善率高达40 - 50%:传统的软线索焊料的热传导能力不佳,阻碍了MOSFET的接面之散热。

    其他优点还包括:由于没有焊锡流量迹(出血)及晶片倾斜(芯片tiltness)的问题,以及更收敛的RDS(ON)与RthJC

    从新款的OptiMOS T2 40V(如:IPB160N04S4 - 02D,160A)的规格产品得知,其RDS(ON)仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K / W相较于使用标准线索焊接的同类产品,其导通电阻降低了约20%的OptiMOS T2的产品拥有同级产品中最佳效能。

上市时间

    OtpiMOS T2为业界率先采用至无铅封装的车用电源的MOSFET的,系列产品包括IPB160N04S4 - 02D(160A,TO - 263封装),IPB100N04S4 - 02D(100A,TO - 263),IPP100N04S4 - 03D(100A,TO - 220 )以及IPI100N04S4 - 03D(100A,TO - 262)皆已上市。

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